搜搜LED網：一般來說，LED外延芯片生產完成之后她的主要電性能已定型，芯片制造不對其產甞核本性改變，但在鍍膜、合金化過程中不恰當的條件會造成一些電參數的不良。比如說合金化溫度偏低或偏高都會造成歐姆接觸不良，歐姆接觸不良是LED芯片制造中造成正向壓降VF偏高的主要原因。在切割后，如果對LED外延芯片邊緣進行一些腐蝕工藝，對改善芯片的反向漏電會有較好的幫助。這是因為用金剛石砂輪刀片切割后，芯片邊緣會殘留較多的碎屑粉末，這些如果粘在LED芯片的PN結處就會造成漏電，甚至會有擊穿現象。另外，如果芯片表面光刻膠剝離不干凈，將會造成正面焊線難與虛焊等情況。如果是背面也會造成壓降偏高。在芯片生產過程中通過表面粗化、劃成倒梯形結構等辦法可以提高光強。

LED芯片大小根據功率可分為小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片用于白光的LED大功率芯片一般在市場上可以看到的都在40mil左右，所謂的大功率LED芯片的使用功率一般是指電功率在1W以上。由于量子效率一般小于20%大部分電能會轉換成熱能，所以大功率芯片的散熱很重要，要求芯片有較大的面積。LED網

  根據客戶要求可分為單管級、數碼級、點陣級以及裝飾照明等類別。至于LED芯片的具體尺寸大小是根據不同芯片生產廠家的實際生產水平而定，沒有具體的要求。只要工藝過關，芯片小可提高單位產出并降低成本，光電性能并不會發(fā)生根本變化。芯片的使用電流實際上與流過芯片的電流密度有關，芯片小使用電流小，芯片大使用電流大，它們的單位電流密度基本差不多。如果10mil芯片的使用電流是20mA的話，那么40mil芯片理論上使用電流可提高16倍，即320mA。但考慮到散熱是大電流下的主要問題，所以它的發(fā)光效率比小電流低。另一方面，由于面積增大，芯片的體電阻會降低，所以正向導通電壓會有所下降。

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