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標(biāo)準(zhǔn)GaN外延生長(zhǎng)流程
硅襯底GaN基LEDN極性n型歐姆接觸研究 In situ metrology advances in MOCVD growth of GaN-based materials 固態(tài)MO源的容器 生產(chǎn)型GaNMOCVD設(shè)備控制系統(tǒng)軟件設(shè)計(jì) 外延設(shè)備簡(jiǎn)介 COB封裝PK傳統(tǒng)LED封裝 LED球泡燈散熱設(shè)計(jì)可行性 犧牲Ni退火對(duì)硅襯底GaN基發(fā)光二極管p型接觸影響的研究 LED封裝領(lǐng)域用陶瓷基板現(xiàn)狀與發(fā)展簡(jiǎn)要分析 高效散熱型COB_LED日光燈與傳統(tǒng)熒光燈比較 藍(lán)寶石表面處理對(duì)氮化鎵光學(xué)性質(zhì)的影響 LED芯片倒裝工藝原理以及應(yīng)用簡(jiǎn)介 ITO使用過(guò)程中4大常見(jiàn)問(wèn)題解決辦法 藍(lán)寶石生長(zhǎng)的（1120）α面氮化鎵研究_西安電子科技大學(xué) 轉(zhuǎn)移基板材質(zhì)對(duì)Si襯底GaN基LED芯片性能的影響 芯片設(shè)計(jì)、技術(shù)演進(jìn) 高端LED驅(qū)動(dòng)電源使用固態(tài)電容器方案 LED光源新技術(shù) 創(chuàng)新型光源——InGaN基LED芯片技術(shù)研究與展望| LED論文 (47) | 市場(chǎng)研究 (7) |
淺談臨界導(dǎo)通模式下的高功率因數(shù) 幾種高級(jí)新型照明LED驅(qū)動(dòng)技術(shù)應(yīng)用 高密度級(jí)LED技術(shù)引領(lǐng)市場(chǎng) 大功率LED燈熱沉強(qiáng)化散熱實(shí)驗(yàn) 針對(duì)光學(xué)設(shè)計(jì)和仿真高效測(cè)量大型光源的近場(chǎng)色度和亮度分布 智能照明總線技術(shù)發(fā)展歷程及未來(lái)趨勢(shì) 室內(nèi)照明領(lǐng)域的智能控制技術(shù)應(yīng)用及未來(lái)發(fā)展 車用LED照明技術(shù)及現(xiàn)狀分析 LED驅(qū)動(dòng)電源總諧波失真(THD)分析及對(duì)策 LED驅(qū)動(dòng)電路功率因數(shù)改善探討及NCP1014解決方案©2014搜搜LED網(wǎng)版權(quán)所有 >
