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國星光電:獲Mini/Micro LED、第三代半導體等技術領域11項專利證書

字體變大  字體變小 發(fā)布日期:2023-01-11  瀏覽次數(shù):2870
核心提示:國星光電1月10日公告,公司取得一種集成模塊及功率器件等11項發(fā)明專利證書。其中6項涉及Mini/Micro LED技術領域專利,1項涉及第三代半導體技術領域專利。

國星光電1月10日公告,公司取得一種集成模塊及功率器件等11項發(fā)明專利證書。其中6項涉及Mini/Micro LED技術領域專利,1項涉及第三代半導體技術領域專利。
 

涉及Mini/Micro LED技術領域的6項專利,其技術方案涉及封裝膠工藝改善、線路板檢測點設置、超高清顯示模組結構設置、芯片精準轉移等方面,通過以上技術方案可以提高超高清顯示產(chǎn)品的集成度,優(yōu)化及簡化線路結構設計,提升制程及封裝良率,形成成熟的封裝技術路線,確保顯示效果的一致性,提高產(chǎn)品的質量。
 

涉及第三代半導體領域的1項發(fā)明專利,該集成模塊以器件組為最基本單元,可應用至半橋逆變式功率轉換電路或全橋逆變功率轉換電路中,具有良好的通用性,同時疊層設置能有效降低回路電流的路徑,降低模塊的寄生電感,提升集成模塊使用場景。
 

 
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