近日,美國Micro LED基芯片到芯片光學互連技術開發(fā)商Avicena,展示了全球首款采用 16nm FinFET CMOS工藝打造的Micro LED基收發(fā)器IC,帶寬達到1Tbps。 該公司表示,與當前基于VCSEL或硅光子的解決方案相比,其基于Micro LED打造的LightBundle通信架構技術,可提供更低的功耗和延遲、更高的帶寬和更低的成本。
據(jù)悉,LightBundle技術基于GaN基Micro LED陣列所制造,可集成在所有高性能的CMOS集成電路上,具備高帶寬密度和能源效率,應用場景涵蓋高性能計算系統(tǒng)(HPC)、人工智能(AI)/機器學習(ML)和分離式內(nèi)存芯片間的互連、傳感器、5G無線及航空航天等下一代鏈路領域。
Micro LED基收發(fā)器IC
本次Avicena通過全新16 nm FinFET工藝打造的IC,擁有超過300個通道,每個通過提供4Gbps帶寬,超過1Tbps的雙向總帶寬。此外,IC尺寸小于12mm2,包含了光學發(fā)送和接收陣列電路,以及高速并行電氣接口和各種測試設計、可制造性分析(DFT/DFM)功能。
Avicena表示,未來在LightBundle技術的加持下,公司將打造尺寸更小,帶寬、密度更高的互連產(chǎn)品。
值得注意的是,在人工智能、高性能計算軟件與應用需求不斷提升的背景下,對于LightBundle通信架構技術的應用需求正在不斷提升。Avicena為滿足超大型數(shù)據(jù)中心運營商和世界領先的IC企業(yè)等客戶對公司產(chǎn)品的需求,在今年3月與ams OSRAM達成了合作協(xié)議,量產(chǎn)應用于LightBundle通信架構技術的GaN Micro LED陣列。