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南昌硅基半導(dǎo)體等申請(qǐng)一種Micro-LED微顯示屏及其制備方法專利,提高M(jìn)icro-LED微顯示屏的亮度均勻性

字體變大  字體變小 發(fā)布日期:2025-08-20  瀏覽次數(shù):1734
核心提示:2025年8月4日消息,國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,南昌大學(xué)、南昌實(shí)驗(yàn)室、南昌硅基半導(dǎo)體科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種Micro-LED微顯示屏及其制備方法”的專利,公開號(hào)CN120417598A,申請(qǐng)日期為2025年4月。
 2025年8月4日消息,國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,南昌大學(xué)、南昌實(shí)驗(yàn)室、南昌硅基半導(dǎo)體科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種Micro-LED微顯示屏及其制備方法”的專利,公開號(hào)CN120417598A,申請(qǐng)日期為2025年4月。

專利摘要顯示,本發(fā)明提供一種MicroLED微顯示屏及其制備方法,其中制備方法包括:制備MicroLED芯片;在MicroLED芯片的表面制備第一樹脂層;提供第一基板,在第一基板的表面制備第二樹脂層;鍵合MicroLED芯片和第一基板制成一次轉(zhuǎn)移芯片,第一樹脂層和第二樹脂層鍵合形成高分子固封層;去除生長(zhǎng)襯底,暴露出N型半導(dǎo)體層的第二面;提供第二基板,將第二基板與N型半導(dǎo)體層的第二面鍵合;去除高分子固封層和第一基板暴露出N型半導(dǎo)體層的第一面,制成二次轉(zhuǎn)移芯片;提供CMOS驅(qū)動(dòng)基板,將二次轉(zhuǎn)移芯片與CMOS驅(qū)動(dòng)基板對(duì)準(zhǔn)鍵合,完成MicroLED微顯示屏的制備;還包括在暴露出的N型半導(dǎo)體層的第一面或第二面排布金屬導(dǎo)線。

本文源自:金融界

 
 
 
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